የጅምላ ከፍተኛ ቮልቴጅ Snubber Capacitor

አጭር መግለጫ፡-

CRE ሁሉንም ዓይነት snubber capacitors ያቀርባል።

1. በCRE የተነደፉ እና የተሰሩ የፈጠራ snubber capacitors

2. የፊልም capacitor ንድፍ እና ምርት ውስጥ መሪ.

3. ልዩ የስንቡበር መመዘኛዎች ከፈለጉ፣ ብጁ የተነደፈ snubber capacitor ወደ የዲዛይን ማዕከላችን ይሂዱ።

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የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

የቴክኒክ ውሂብ

የሚሰራ የሙቀት ክልል	ከፍተኛ.ኦፕሬቲንግ ሙቀት።፣ከፍተኛ፣ከፍተኛ፡+90℃የላይኛው ምድብ ሙቀት፡+85℃የታችኛው ምድብ ሙቀት፡-40℃
የአቅም ክልል	1μF～8μF
ደረጃ የተሰጠው ቮልቴጅ	1200V.DC～4000V.DC
ካፕ.ቶል	± 5% (ጄ); ± 10% (ኬ)
ቮልቴጅን መቋቋም	1.5Un /10S
የመበታተን ሁኔታ	tgδ≤0.001 f=1KHz
የኢንሱሌሽን መቋቋም	RS*C≥5000S (በ20℃ 100V.DC 60S)
የዕድሜ ጣርያ	100000ሰ(Un; Θhotspot≤85°C)
የማጣቀሻ መስፈርት	IEC 61071፣ IEC 60110

ባህሪ

ለአማራጮች ነጠላ ብረት የተሰሩ snubber capacitors እና Double metalized snubber capacitors አሉ።

መተግበሪያ

1. በኤሌክትሪክ ሃይል ኤሌክትሮኒክስ አፕሊኬሽኖች ውስጥ snubber capacitors የኤሌክትሮማግኔቲክ ጣልቃገብነትን በመቀነስ የቮልቴጅ እና የአሁኑን መደወልን የመቀነስ ሃላፊነት አለባቸው።

2. በ IGBT ሞጁሎች ላይ ተጭነዋል፣ ለተሳሳተ ኢንዳክሽን ቅነሳ፣ Snubber capacitors ለሁለገብነት ዓላማዎች በሚዋቀሩ ተርሚናሎች ውስጥ ይቀርባሉ።

ዝርዝር ሠንጠረዥ

ቮልቴጅ	Un 700V.DC፣Urms400Vac፣Us1050V
	ዳይሜንሽን (ሚሜ)
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ (V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ @40℃ @100KHz (ሀ)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	በ1496 ዓ.ም	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ቮልቴጅ	Un 1000V.DC፣Urms500Vac፣Us1500V
	ዳይሜንሽን (ሚሜ)
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	በ1815 ዓ.ም	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	በ1974 ዓ.ም	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ቮልቴጅ	Un 1200V.DC፣Urms550Vac፣Us1800V
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	በ1815 ዓ.ም	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	በ1974 ዓ.ም	32
ቮልቴጅ	Un 1700V.DC፣Urms575Vac፣Us2250V
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	በ1980 ዓ.ም	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ቮልቴጅ	Un 2000V.DC፣Urms700Vac፣Us3000V
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ቮልቴጅ	Un 3000V.DC፣Urms750Vac፣Us4500V
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28