የጅምላ ከፍተኛ ቮልቴጅ ስኑበር ካፓሲተር

አጭር መግለጫ፡

CRE ሁሉንም አይነት የ snubber capacitors ያቀርባል።

1. በCRE የተነደፉ እና የተመረቱ ፈጠራ ያላቸው የsnubber capacitors

2. የፊልም ካፓሲተር ዲዛይን እና ማምረቻ ውስጥ ግንባር ቀደም።

3. ልዩ የsnubber ዝርዝሮችን የሚያስፈልግዎ ከሆነ፣ ብጁ የተነደፈ የsnubber capacitor ለማግኘት ወደ ዲዛይን ማዕከላችን ይሂዱ።

ኢሜይል ይላኩልን እንደ ፒዲኤፍ ያውርዱ

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

ቴክኒካዊ መረጃ

የአሠራር የሙቀት ክልል	ከፍተኛ የአሠራር ሙቀት።፣ላይ፣ከፍተኛ፡+90℃የላይኛው ምድብ የሙቀት መጠን፡+85℃የታችኛው ምድብ የሙቀት መጠን፡-40℃
የቮልቴጅ ክልል	1μF~8μF
ደረጃ የተሰጠው ቮልቴጅ	1200 ቮልት.ዲሲ~4000 ቮልት.ዲሲ
ካፕ.ቶል	±5%(ጄ)፤ ±10%(ኬ)
ቮልቴጅን መቋቋም	1.5Un /10S
የመበታተን ምክንያት	tgδ≤0.001 f=1KHz
የኢንሱሌሽን መቋቋም	RS*C≥5000S (በ20℃ 100V.DC 60S)
የህይወት ዘመን ቆይታ	100000ሰ(Un; Θhotspot≤85°C)
የማጣቀሻ መስፈርት	IEC 61071፤ IEC 60110

ባህሪ

ለአማራጮች ነጠላ ሜታላይዝድ snubber capacitors እና ድርብ ሜታላይዝድ snubber capacitors አሉ።

ማመልከቻ

1. በኤሌክትሪክ ኃይል አፕሊኬሽኖች ውስጥ፣ የsnubber capacitors ቮልቴጅን እና የአሁን ጩኸትን በመጨፈን የኤሌክትሮማግኔቲክ ጣልቃገብነትን ለመቀነስ ኃላፊነት አለባቸው።

2. በ IGBT ሞጁሎች ላይ የተገጠሙ፣ ለተንሸራታች ኢንዳክታንስ ቅነሳ፣ የSnubber capacitors ለተለያዩ ዓላማዎች በተዋቀሩ ተርሚናሎች ውስጥ ይቀርባሉ.

የዝርዝር ዝርዝር ሰንጠረዥ

ቮልቴጅ	ዩኒ 700V.DC፣Urms400Vac፤Us1050V
	ልኬት (ሚሜ)
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 ዓ.ም.	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ቮልቴጅ	ዩኒ 1000V.DC፣Urms500Vac፤Us1500V
	ልኬት (ሚሜ)
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 ዓ.ም.	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 ዓ.ም.	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 ዓ.ም.	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 ዓ.ም.	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 ዓ.ም.	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ቮልቴጅ	ዩኒ 1200V.DC፣Urms550Vac፤Us1800V
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 ዓ.ም.	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 ዓ.ም.	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 ዓ.ም.	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 ዓ.ም.	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 ዓ.ም.	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 ዓ.ም.	32
ቮልቴጅ	ዩኒ 1700V.DC፣Urms575Vac፤Us2250V
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 ዓ.ም.	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 ዓ.ም.	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 ዓ.ም.	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 ዓ.ም.	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 ዓ.ም.	32
ቮልቴጅ	ዩኒ 2000V.DC፣Urms700Vac፤Us3000V
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 ዓ.ም.	32
ቮልቴጅ	ዩኒ 3000V.DC፣Urms750Vac፤Us4500V
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 ዓ.ም.	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 ዓ.ም.	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28