ለ IGBT መተግበሪያ የ polypropylene ፊልም Snubber capacitor ዝቅተኛ ኪሳራ dielectric

ዝቅተኛ ኪሳራ ዳይኤሌክትሪክ የ polypropylene ፊልም Snubber capacitor ለ IGBT መተግበሪያ ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡-

CRE ክልል የIGBT snubber capacitors ROHS እና REACH ታዛዥ ናቸው።

1. የነበልባል መከላከያ ባህሪያት የሚረጋገጠው ከ UL94-VO ጋር በሚጣጣም የፕላስቲክ ማቀፊያ እና epoxy መጨረሻ ሙሌት በመጠቀም ነው።

2. የተርሚናል ቅጦች እና የጉዳይ መጠኖች ሊበጁ ይችላሉ.

ኢሜይል ይላኩልን። እንደ PDF አውርድ

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

SMJ-P ተከታታይ

ደረጃ የተሰጠው የቮልቴጅ ክልል: 1000 VDC እስከ 2000 VDC
የአቅም ክልል፡ 0.1 uf እስከ 3.0 uf
የመጫኛ ቦታ: 22.5 ሚሜ እስከ 48 ሚሜ
ግንባታ: ብረት የተሰራ ፖሊፕሮፒሊን ዳይኤሌክትሪክ ውስጣዊ ተከታታይ ግንኙነት
መተግበሪያ: IGBT ጥበቃ, ሬዞናንስ ታንክ ወረዳዎች

ራስን መፈወስ ፣ ደረቅ-አይነት ፣ snubber capacitor ንጥረ ነገሮች የሚሠሩት በልዩ መገለጫ ፣ ማዕበል የተቆረጠ ሜታላይዝድ ፒፒ ፊልም በመጠቀም ነው ፣ ይህም ዝቅተኛ ራስን መቻል ፣ ከፍተኛ ስብራት የመቋቋም እና ከፍተኛ አስተማማኝነትን ያረጋግጣል።ከመጠን በላይ ጫና ማቋረጥ አስፈላጊ ሆኖ አይቆጠርም.የ capacitor የላይኛው ለራስ በሚያጠፋ ኢኮ ተስማሚ epoxy የታሸገ ነው።ልዩ ንድፍ በጣም ዝቅተኛ ራስን መነሳሳትን ያረጋግጣል.

ዝርዝር ሠንጠረዥ

ቮልቴጅ	Un 700V.DC፣Urms400Vac፣Us1050V
	ዳይሜንሽን (ሚሜ)
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ (V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ @40℃ @100KHz (ሀ)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	በ1496 ዓ.ም	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

ቮልቴጅ	Un 1000V.DC፣Urms500Vac፣Us1500V
	ዳይሜንሽን (ሚሜ)
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	በ1815 ዓ.ም	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	በ1974 ዓ.ም	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

ቮልቴጅ	Un 1200V.DC፣Urms550Vac፣Us1800V
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	በ1815 ዓ.ም	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	በ1974 ዓ.ም	32

ቮልቴጅ	Un 1700V.DC፣Urms575Vac፣Us2250V
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	በ1980 ዓ.ም	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

ቮልቴጅ	Un 2000V.DC፣Urms700Vac፣Us3000V
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

ቮልቴጅ	Un 3000V.DC፣Urms750Vac፣Us4500V
ሲኤን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች (± 1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	ዲቪ/ዲቲ(V/μS)	አይ ፒ (ኤ)	ኢርምስ
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28