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ከፍተኛ-ደረጃ IGBT Snubber capacitor ንድፍ ለከፍተኛ ኃይል መተግበሪያዎች

አጭር መግለጫ፡-

IGBT snubber SMJ-P

1. የፕላስቲክ መያዣ, በሬንጅ የታሸገ;

2. በቆርቆሮ የተሸፈነ የመዳብ ማስገቢያዎች, ለ IGBT ቀላል መጫኛ;

3. ከፍተኛ ቮልቴጅ መቋቋም, ዝቅተኛ tgδ, ዝቅተኛ የሙቀት መጨመር;

4. ዝቅተኛ ESL እና ESR;

5. ከፍተኛ የልብ ምት ወቅታዊ;

6. UL የምስክር ወረቀት.

 


የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

የቴክኒክ ውሂብ

የሚሰራ የሙቀት ክልል ከፍተኛ.የሚሠራበት ሙቀት።፣ከፍተኛ፣ከፍተኛ፡+105℃

የላይኛው ምድብ የሙቀት መጠን: + 85 ℃

ዝቅተኛ ምድብ የሙቀት መጠን: -40 ℃

የአቅም ክልል 0.1μF5.6μኤፍ
ደረጃ የተሰጠው ቮልቴጅ 700V.ዲሲ3000V.ዲሲ
ካፕ.ቶል ± 5% (ጄ); ± 10% (ኬ)
ቮልቴጅን መቋቋም 1.5Un DC/10S
የመበታተን ሁኔታ tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

የኢንሱሌሽን መቋቋም

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (በ20℃ 100V.DC 60S)

C0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)

የአድማ ፍሰትን መቋቋም

የውሂብ ሉህ ይመልከቱ

የእሳት ነበልባል መዘግየት

UL94V-0

የዕድሜ ጣርያ

100000ሰ(Un; Θhotspot≤85°C)

የማጣቀሻ መስፈርት

IEC61071;GB/T17702;

ዝርዝር ሠንጠረዥ

ቮልቴጅ Un 700V.DC፣Urms400Vac፣Us1050V
ዳይሜንሽን (ሚሜ)
ሲኤን(μF) ኤል(±1) ቲ(±1) ኤች (± 1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) ዲቪ/ዲቲ (V/μS) አይ ፒ (ኤ) ኢርምስ @40℃ @100KHz (ሀ)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 በ1496 ዓ.ም 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
ቮልቴጅ Un 1000V.DC፣Urms500Vac፣Us1500V
ዳይሜንሽን (ሚሜ)
ሲኤን(μF) ኤል(±1) ቲ(±1) ኤች (± 1) ESR(mΩ) ESL(nH) ዲቪ/ዲቲ(V/μS) አይ ፒ (ኤ) ኢርምስ
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 በ1815 ዓ.ም 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 በ1974 ዓ.ም 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
ቮልቴጅ Un 1200V.DC፣Urms550Vac፣Us1800V
ሲኤን(μF) ኤል(±1) ቲ(±1) ኤች (± 1) ESR(mΩ) ESL(nH) ዲቪ/ዲቲ(V/μS) አይ ፒ (ኤ) ኢርምስ
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 በ1815 ዓ.ም 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 በ1974 ዓ.ም 32
ቮልቴጅ Un 1700V.DC፣Urms575Vac፣Us2250V
ሲኤን(μF) ኤል(±1) ቲ(±1) ኤች (± 1) ESR(mΩ) ESL(nH) ዲቪ/ዲቲ(V/μS) አይ ፒ (ኤ) ኢርምስ
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 በ1980 ዓ.ም 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
ቮልቴጅ Un 2000V.DC፣Urms700Vac፣Us3000V
ሲኤን(μF) ኤል(±1) ቲ(±1) ኤች (± 1) ESR(mΩ) ESL(nH) ዲቪ/ዲቲ(V/μS) አይ ፒ (ኤ) ኢርምስ
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
ቮልቴጅ Un 3000V.DC፣Urms750Vac፣Us4500V
ሲኤን(μF) ኤል(±1) ቲ(±1) ኤች (± 1) ESR(mΩ) ESL(nH) ዲቪ/ዲቲ(V/μS) አይ ፒ (ኤ) ኢርምስ
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

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