በኃይል ኤሌክትሮኒክስ መሳሪያዎች ውስጥ GTO snubber capacitor
የቴክኒክ ውሂብ
የሚሰራ የሙቀት ክልል | ከፍተኛ.ኦፕሬቲንግ ሙቀት።፣ላይ፣ከፍተኛ፡+85℃የላይኛው ምድብ ሙቀት፡+85℃የታችኛው ምድብ ሙቀት፡-40℃ |
የአቅም ክልል | 0.22~3μF |
ደረጃ የተሰጠው ቮልቴጅ | 3000V.DC~10000V.DC |
ካፕ.ቶል | ± 5% (ጄ); ± 10% (ኬ) |
ቮልቴጅን መቋቋም | 1.35Un DC/10S |
የመበታተን ሁኔታ | tgδ≤0.001 f=1KHz |
የኢንሱሌሽን መቋቋም | C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (በ20℃ 100V.DC 60S) C:0.33μF RS*C≥5000S (በ20℃ 100V.DC 60S) |
የአድማ ፍሰትን መቋቋም | የውሂብ ሉህ ይመልከቱ |
የዕድሜ ጣርያ | 100000ሰ(Un; Θhotspot≤70°C) |
የማጣቀሻ መስፈርት | IEC 61071; |
ባህሪ
1. ማይላር ቴፕ, በሬንጅ የታሸገ;
2. የመዳብ ነት እርሳሶች;
3. ከፍተኛ ቮልቴጅ, ዝቅተኛ tgδ, ዝቅተኛ የሙቀት መጨመር መቋቋም;
4. ዝቅተኛ ESL እና ESR;
5. ከፍተኛ የልብ ምት ወቅታዊ.
መተግበሪያ
1. GTO Snubber.
2. ከፍተኛ ቮልቴጅ, ጫፍ የአሁኑ ለመምጥ ጥበቃ ጊዜ ኃይል ኤሌክትሮኒክስ መሣሪያዎች ውስጥ በስፋት ጥቅም ላይ.
የተለመደ ወረዳ
የዝርዝር ስዕል
ዝርዝር መግለጫ
Un=3000V.DC | |||||||
አቅም (μF) | φD (ሚሜ) | ኤል(ሚሜ) | L1(ሚሜ) | ESL(nH) | ዲቪ/ዲቲ(V/μS) | አይ ፒ (ኤ) | ኢርምስ(ሀ) |
0.22 | 35 | 44 | 52 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
0.33 | 43 | 44 | 52 | 25 | 1000 | 330 | 35 |
0.47 | 51 | 44 | 52 | 22 | 850 | 399 | 45 |
0.68 | 61 | 44 | 52 | 22 | 800 | 544 | 55 |
1 | 74 | 44 | 52 | 20 | 700 | 700 | 65 |
1.2 | 80 | 44 | 52 | 20 | 650 | 780 | 75 |
1.5 | 52 | 70 | 84 | 30 | 600 | 900 | 45 |
2.0 | 60 | 70 | 84 | 30 | 500 | 1000 | 55 |
3.0 | 73 | 70 | 84 | 30 | 400 | 1200 | 65 |
4.0 | 83 | 70 | 84 | 30 | 350 | 1400 | 70 |
Un=6000V.DC | |||||||
አቅም (μF) | φD (ሚሜ) | ኤል(ሚሜ) | L1(ሚሜ) | ESL(nH) | ዲቪ/ዲቲ(V/μS) | አይ ፒ (ኤ) | ኢርምስ(ሀ) |
0.22 | 43 | 60 | 72 | 25 | 1500 | 330 | 35 |
0.33 | 52 | 60 | 72 | 25 | 1200 | 396 | 45 |
0.47 | 62 | 60 | 72 | 25 | 1000 | 470 | 50 |
0.68 | 74 | 60 | 72 | 22 | 900 | 612 | 60 |
1 | 90 | 60 | 72 | 22 | 800 | 900 | 75 |
Un=7000V.DC | |||||||
አቅም (μF) | φD (ሚሜ) | ኤል(ሚሜ) | L1(ሚሜ) | ESL(nH) | ዲቪ/ዲቲ(V/μS) | አይ ፒ (ኤ) | ኢርምስ(ሀ) |
0.22 | 45 | 57 | 72 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
0.68 | 36 | 80 | 92 | 28 | 1000 | 680 | 25 |
1.0 | 43 | 80 | 92 | 28 | 850 | 850 | 30 |
1.5 | 52 | 80 | 92 | 25 | 800 | 1200 | 35 |
1.8 | 57 | 80 | 92 | 25 | 700 | 1260 | 40 |
2.0 | 60 | 80 | 92 | 23 | 650 | 1300 | 45 |
3.0 | 73 | 80 | 92 | 22 | 500 | 1500 | 50 |
Un=8000V.DC | |||||||
አቅም (μF) | φD (ሚሜ) | ኤል(ሚሜ) | L1(ሚሜ) | ESL(nH) | ዲቪ/ዲቲ(V/μS) | አይ ፒ (ኤ) | ኢርምስ(ሀ) |
0.33 | 35 | 90 | 102 | 30 | 1100 | 363 | 25 |
0.47 | 41 | 90 | 102 | 28 | 1000 | 470 | 30 |
0.68 | 49 | 90 | 102 | 28 | 850 | 578 | 35 |
1 | 60 | 90 | 102 | 25 | 800 | 800 | 40 |
1.5 | 72 | 90 | 102 | 25 | 700 | 1050 | 45 |
2.0 | 83 | 90 | 102 | 25 | 650 | 1300 | 50 |
Un=10000V.DC | |||||||
አቅም (μF) | φD (ሚሜ) | ኤል(ሚሜ) | L1(ሚሜ) | ESL(nH) | ዲቪ/ዲቲ(V/μS) | አይ ፒ (ኤ) | ኢርምስ(ሀ) |
0.33 | 45 | 114 | 123 | 35 | 1500 | 495 | 30 |
0.47 | 54 | 114 | 123 | 35 | 1300 | 611 | 35 |
0.68 | 65 | 114 | 123 | 35 | 1200 | 816 | 40 |
1 | 78 | 114 | 123 | 30 | 1000 | 1000 | 55 |
1.5 | 95 | 114 | 123 | 30 | 800 | 1200 | 70 |