የፋብሪካ ማምረቻ Snubber Capacitor ለ Igbt - ዝቅተኛ የፖሊፕሮፒሊን ፊልም ዲኤሌክትሪክ ኪሳራ Snubber capacitor ለ IGBT አተገባበር - CRE

የፋብሪካ ማምረቻ Snubber Capacitor ለ Igbt - ዝቅተኛ የፖሊፕሮፒሊን ፊልም ዲኤሌክትሪክ ኪሳራ Snubber capacitor ለ IGBT አፕሊኬሽን - CRE ተለይቶ የቀረበ ምስል

አጭር መግለጫ፡

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

ተዛማጅ ቪዲዮ

ግብረመልስ (2)

ፈጠራ፣ እጅግ በጣም ጥሩ እና አስተማማኝነት የኩባንያችን ዋና እሴቶች ናቸው። እነዚህ መርሆዎች ዛሬ ከመቼውም ጊዜ በበለጠ በዓለም አቀፍ ደረጃ እንደ መካከለኛ መጠን ያለው ንግድ ለስኬታችን መሠረት ይሆናሉለአውቶሞቲቭ አፕሊኬሽን የዲሲ-ሊንክ ካፓሲተር , በኃይል መቀየሪያዎች ውስጥ የዲሲ-ሊንክ ካፓሲተሮች , ከፍተኛ ቮልቴጅ ፖሊፕሮፒሊን ፊልም ካፓሲተርለጥራት እና ለደንበኛ እርካታ ቅድሚያ እንሰጣለን፤ ለዚህም ጥብቅ የጥራት ቁጥጥር እርምጃዎችን እንከተላለን። ምርቶቻችን በተለያዩ የማቀነባበሪያ ደረጃዎች በሁሉም ገጽታዎች የሚሞከሩባቸው የውስጥ የሙከራ ተቋማት አሉን። የቅርብ ጊዜ ቴክኖሎጂዎችን በመጠቀም ደንበኞቻችንን ብጁ የምርት ተቋም እናመቻቻለን።

የፋብሪካ ማምረቻ Snubber Capacitor ለ Igbt - ዝቅተኛ የፖሊፕሮፒሊን ፊልም ዲኤሌክትሪክ ኪሳራ Snubber capacitor ለ IGBT አፕሊኬሽን - CRE ዝርዝር፡

የSMJ-P ተከታታይ

ደረጃ የተሰጠው የቮልቴጅ ክልል፡ 1000 VDC እስከ 2000 VDC
የቮልቴጅ ክልል፡ ከ0.1 uf እስከ 3.0 uf
የመጫኛ ፒክ፡ ከ22.5 ሚሜ እስከ 48 ሚሜ
ግንባታ፡ በብረታ ብረት የተሰራ ፖሊፕሮፒሊን ዳይኤሌክትሪክ ውስጣዊ ተከታታይ ግንኙነት
አፕሊኬሽን፡ IGBT Protection፣ Resonance Tank Circuits

የራስን ፈውስ፣ ደረቅ አይነት፣ የሱቡበር ካፓሲተር አባሎች የሚመረቱት በልዩ ፕሮፋይል የተደረገ፣ ሞገድ የተቆረጠ ሜታሊዝድ ፒፒ ፊልም በመጠቀም ሲሆን ይህም ዝቅተኛ ራስን በራስ የማጣራት ችሎታ፣ ከፍተኛ የመሰባበር መቋቋም እና ከፍተኛ አስተማማኝነት ያረጋግጣል። ከመጠን በላይ ግፊት መቆራረጥ አስፈላጊ እንደሆነ አይቆጠርም። የካፓሲተሩ የላይኛው ክፍል እራሱን በሚያጠፋ ለአካባቢ ተስማሚ በሆነ ኤፖክሲ ተዘግቷል። ልዩ ዲዛይን በጣም ዝቅተኛ ራስን በራስ የማጣራት ችሎታን ያረጋግጣል።

IMG_0397.HEIC

የዝርዝር ዝርዝር ሰንጠረዥ

ቮልቴጅ	ዩኒ 700V.DC፣Urms400Vac፤Us1050V
	ልኬት (ሚሜ)
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 ዓ.ም.	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

ቮልቴጅ	ዩኒ 1000V.DC፣Urms500Vac፤Us1500V
	ልኬት (ሚሜ)
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 ዓ.ም.	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 ዓ.ም.	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 ዓ.ም.	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 ዓ.ም.	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 ዓ.ም.	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

ቮልቴጅ	ዩኒ 1200V.DC፣Urms550Vac፤Us1800V
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 ዓ.ም.	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 ዓ.ም.	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 ዓ.ም.	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 ዓ.ም.	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 ዓ.ም.	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 ዓ.ም.	32

ቮልቴጅ	ዩኒ 1700V.DC፣Urms575Vac፤Us2250V
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 ዓ.ም.	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 ዓ.ም.	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 ዓ.ም.	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 ዓ.ም.	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 ዓ.ም.	32

ቮልቴጅ	ዩኒ 2000V.DC፣Urms700Vac፤Us3000V
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 ዓ.ም.	32

ቮልቴጅ	ዩኒ 3000V.DC፣Urms750Vac፤Us4500V
ሲን(μF)	ኤል(±1)	ቲ(±1)	ኤች(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	ኢፒኬ(ኤ)	ኢርምስ
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 ዓ.ም.	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 ዓ.ም.	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

የምርት ዝርዝር ፎቶዎች:

ተዛማጅ የምርት መመሪያ፡

"ለደንበኛ ተስማሚ፣ ጥራት ያለው፣ የተቀናጀ፣ ፈጠራ ያለው" እንደ ዓላማዎች እንወስዳለን። "እውነት እና ታማኝነት" ለፋብሪካ ማምረቻ ተስማሚ የሆነ Snubber Capacitor ለ Igbt - ዝቅተኛ ኪሳራ ያለው የ polypropylene ፊልም Snubber capacitor ለ IGBT አተገባበር - CRE፣ ምርቱ በመላው ዓለም እንደ ጋና፣ ሄይቲ፣ ብራዚሊያ ላሉ ያቀርባል። ምርቶቻችን በተጠቃሚዎች ዘንድ በሰፊው የሚታወቁ እና የሚታመኑ ሲሆኑ ቀጣይነት ባለው መልኩ የኢኮኖሚ እና ማህበራዊ ፍላጎቶችን ሊያሟሉ ይችላሉ። ለወደፊቱ የንግድ ግንኙነቶች እና የጋራ ስኬት ከሁሉም የኑሮ ዘርፎች የመጡ አዳዲስ እና አሮጌ ደንበኞችን በደስታ እንቀበላለን!

የኤሲ ፊልም ካፓሲተር ባንክ